机译:基于脉冲S参数测量的GaN HEMT简化的漏滞模型
机译:基于脉冲S参数测量的GaN Hemts流线型漏极滞后模型
机译:使用小信号等效电路在AlGaN / GaN HEMT中进行电流崩塌建模以用于大功率应用
机译:AlGaN / GaN功率HEMT的漏极滞后模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:用多指架构调制对高功率应用的自终止蚀刻技术常关P-GAN / ALGAN / GAN HEMT的研究
机译:GaN / AlGaN微波功率HEMTS的直流和AC特性的一致建模